[논문자료] 대형 화학기상증착 반응기 내의 Si 에피택셜 성장에 대한 수치해석 연구
대형 화학기상증착 반응기 내의 Si 에피택셜 성장에 대한 수치해석 연구 화학증기증착(CVD) 공정으로 생산되는 실리콘 에피 증착은 반도체 업계에서 가장 중요한 기술 요건 중 하나이다. CVD 프로세스는 화학적 운동역학, 열전달 및 질량 전달의 상호 작용에 의해 결정되며 공정변수인 유속, 압력, 온도 및 화학종의 농도와 같은 조건에 의해 결정된다. CVD 프로세스 개발 및 최적화는 일반적으로 경험적 방법과 시행 착오적 실험에 기초한다. 이 방법은 고품질 박막 제작에 대한 수요 증가를 충족시킬 수 없다. 따라서 이론적 최적화 기법에 의한 공정의 분석과 최적화가 프로세스 개발이나 공정 조건의 최적화에 많은 도움이 된다. 이 논문에서는 planetary type CVD 반응기 내의 DCS-H2-HCl 시스템의 ..
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2020. 10. 16. 10:38